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inassbnBn中波红外探测器此内容为付费资源,请付费后查看
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THE END
(3)成功研制了InAsSb nBn结构中波红外光电探测器单元器件,在-0.2V偏压下,量子效率能够达到60%以上,300K时探测器的探测率可以到10cHz2/W量级以上。通过变温I-V曲线发现在低于l80K时,pin器件中GR暗电流逐渐超过扩散电流从而成为主要成分,而nB单势垒结构红外光电探测器中GR暗电流得到了很好的抑制,起到了理论模型中nBn结构应有的优势。关键词:中波红外,分子束外延,nBn,光电探测,InAsSb
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